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Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET.

Descrizione |

Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto LL1 mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso LL0. Tale topologia circuitale fu inventata da Frank Wanlass nel 1967.

La rete di Pull-Up è costituita da MOSFET a canale P, che si "accendono" solo se la tensione presente sul gate (misurata rispetto al source) è minore della tensione di soglia. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita da MOSFET a canale N che si accendono solo se la tensione presente sul gate (misurata rispetto al source) è maggiore della tensione di soglia.

Per comprendere come sia strutturata la tecnologia CMOS può risultare utile osservare una porta logica NOT realizzata con tecnologia CMOS. Si può notare come, nell'eventualità che il segnale d'ingresso sia a LL1, sia il solo N-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL0. Inversamente, con l'ingresso a LL0, è il solo P-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL1. Particolarità di questa porta logica è di avere una dinamica logica d'uscita piena, cioè pari alla massima tensione applicata, Vcc; inoltre né la rete di pull-up né la rete di pull-down soffre di effetto body. La componentistica realizzata in questa tecnologia è caratterizzata da un consumo di corrente estremamente basso.

Caratteristiche |

Uno dei principali vantaggi della logica CMOS è di avere una potenza statica dissipata idealmente nulla: questa caratteristica è dovuta alla complementarità del pull-down (n-Mos) e del pull-up (p-Mos); ossia, quando è acceso il pull-up, è spento il pull-down, e viceversa.
In realtà ci sono piccole correnti di perdita (per caricare/scaricare le capacità parassite, la corrente di cortocircuito durante la commutazione di stato, per perdite alle giunzioni e per le correnti di sottosoglia), trascurabili se il numero dei MOS è relativamente piccolo, ma che può diventare particolarmente sentito, in particolare le correnti di sottosoglia sono responsabili di circa la metà della dissipazione di potenza nelle attuali realizzazioni VLSI.

Elementi base |

Dimensionando opportunamente i due MOS (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una curva caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere il margine di immunità ai disturbi il più elevato possibile. Il tratto di caratteristica ad alto guadagno è indipendente dal rapporto tra i fattori di forma dei due MOS (ratioless).

Gli elementi base per costruire qualsiasi circuito digitale sono:

• 
  NAND: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in parallelo e pull-down da due n-Mos in serie


• 
  NOR: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in serie e pull-down da due n-Mos in parallelo

Ogni funzione logica binaria può essere espressa in termini di questi due operatori.

FSI e BSI |

Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (front side illumination), dove lo strato di silicio (fotosensori) è posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (backside illumination) dato che lo strato di silicio è posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.^[1]

Potenza dinamica dissipata |

Si possono identificare due tipi di dissipazioni di potenza dinamica:

• Potenza di cortocircuito


• Potenza associata alla carica/scarica del condensatore

⟨P⟩=1T∫P(t)d⁡t{displaystyle langle Prangle ={frac {1}{T}}int P(t)operatorname {d} t}

Potenza di cortocircuito |

Trascurando la capacità parassita Cl{displaystyle C_{l}} e consideriamo un segnale di ingresso che comprenda un fronte di salita e uno di discesa, tenendo presente il ritardo di propagazione (tr{displaystyle t_{r}} e tf{displaystyle t_{f}} sono non nulli).
Dall'istante ta{displaystyle t_{a}} a tc{displaystyle t_{c}} e da td{displaystyle t_{d}} a tf{displaystyle t_{f}} la corrente non è nulla in quanto sia il PU che il PD sono accesi.
Quindi la potenza avrà un valore non nullo in quei punti; ricordiamo che la potenza dinamica è:

Pd=Vdd∗Id {displaystyle P_{d}=V_{dd}*I_{d} }

Quindi calcoliamo la potenza attiva:

⟨Pd⟩=1T[∫tatbPdd⁡t+∫tbtcPdd⁡t+∫tdtePdd⁡t+∫tetfPdd⁡t]={displaystyle langle P_{d}rangle ={frac {1}{T}}left[int _{t_{a}}^{t_{b}}P_{d}operatorname {d} t+int _{t_{b}}^{t_{c}}P_{d}operatorname {d} t+int _{t_{d}}^{t_{e}}P_{d}operatorname {d} t+int _{t_{e}}^{t_{f}}P_{d}operatorname {d} tright]=}

=VddT[∫tatbIdn,sat(t)d⁡t+∫tbtcIdp,sat(t)d⁡t+∫tdteIdp,sat(t)d⁡t+∫tetfIdn,sat(t)d⁡t]{displaystyle ={frac {V_{dd}}{T}}left[int _{t_{a}}^{t_{b}}I_{dn,sat}(t)operatorname {d} t+int _{t_{b}}^{t_{c}}I_{dp,sat}(t)operatorname {d} t+int _{t_{d}}^{t_{e}}I_{dp,sat}(t)operatorname {d} t+int _{t_{e}}^{t_{f}}I_{dn,sat}(t)operatorname {d} tright]}

Facendo l'ipotesi di MOS complementari

βn=βp {displaystyle beta _{n}=beta _{p} }

Vtn=|Vtp|=Vt {displaystyle V_{tn}=|V_{tp}|=V_{t} }

Allora

Idn,sat=Idp,sat {displaystyle I_{dn,sat}=I_{dp,sat} }

Si viene ad avere

⟨Pd⟩=4VddT[∫tatbβn2(Vgsn(t)−Vtn)2d⁡t]{displaystyle langle P_{d}rangle ={frac {4V_{dd}}{T}}left[int _{t_{a}}^{t_{b}}{frac {beta _{n}}{2}}(V_{gsn}(t)-V_{tn})^{2}operatorname {d} tright]}

Possiamo conoscere gli estremi di integrazione tramite l'equazione

t:tr=Vi(t):Vdd {displaystyle t:t_{r}=V_{i}(t):V_{dd} }

t=tr∗Vi(t)Vdd {displaystyle t=t_{r}*{frac {V_{i}(t)}{V_{dd}}} }

Vi(t)=Vgsn(t) {displaystyle V_{i}(t)=V_{gsn}(t) }

Sostituendo e risolvendo si ha:

⟨Pd⟩=β∗tr∗Vdd312T[1−2VtnVdd]{displaystyle langle P_{d}rangle =beta *t_{r}*{frac {V_{dd}^{3}}{12T}}left[1-{frac {2V_{tn}}{V_{dd}}}right]}

Facendo l'ipotesi Vdd>>Vtn{displaystyle V_{dd}>>V_{tn}}

⟨Pd⟩=β∗tr∗Vdd312T{displaystyle langle P_{d}rangle =beta *t_{r}*{frac {V_{dd}^{3}}{12T}}}

Nota: Dipende:

• linearmente dalla durata del fronte di salita (o di discesa)


• dal cubo della tensione di alimentazione


• inversamente dal Periodo (cioè, aumentando la frequenza di lavoro, aumenta la potenza dissipata)

Potenza associata alla carica/scarica del condensatore |

Questa volta poniamo tr{displaystyle t_{r}} e tf{displaystyle t_{f}} nulli in modo che la Pcc=0{displaystyle P_{cc}=0} e consideriamo il condensatore parassita.
Adesso la potenza dissipata sarà quella utilizzata dai MOS per caricare e scaricare il condensatore.

Possiamo identificare 3 parametri:

Pc{displaystyle P_{c}} = potenza dissipata dal condensatore (in un periodo si sarà caricato e scaricato, quindi avrà assorbito e ceduto la stessa potenza; questo porta ad avere una potenza media dissipata nulla

Pn=Idn(t)∗Vdsn(t){displaystyle P_{n}=I_{dn}(t)*V_{dsn}(t)} - Potenza dissipata dal N-MOS per scaricare il condensatore

Pp=Idp(t)∗Vsdn(t){displaystyle P_{p}=I_{dp}(t)*V_{sdn}(t)} - Potenza dissipata dal P-MOS per caricare il condensatore

Quindi la potenza media dinamica è

⟨Pd⟩=Pn+Pp+Pc=Pn+Pp {displaystyle langle P_{d}rangle =P_{n}+P_{p}+P_{c}=P_{n}+P_{p} }

Note |

Voci correlate |

• MOSFET


• Logica NMOS


• Logica PMOS


• Invertitore


• Dispositivo a carica accoppiata


• Serie 4000

Altri progetti |

• 
  Wikimedia Commons contiene immagini o altri file su CMOS
  

Collegamenti esterni |

• CMOS, in Treccani.it – Enciclopedie on line, Istituto dell'Enciclopedia Italiana, 15 marzo 2011.

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V · D · M Componenti elettronici
Dispositivo a semiconduttore	Circuito integrato · CMOS · Diodo (a valanga · DIAC · PIN · Schottky · Varicap · LED · Triac · Zener) · Dispositivo multiporta · FET · Fotorivelatore (SCR) · JFET · Memristore · MOSFET · Transistor (Tiristore · Transistor a giunzione bipolare (BJT) · Transistor Darlington · Transistor bipolare a gate isolato · Transistore unigiunzione)
Regolatore di tensione	Convertitore boost · Convertitore buck · Convertitore buck-boost · Convertitore Ćuk · Convertitore SEPIC · Pompa di carica · Regolatore lineare
Tubo a vuoto	Fotomoltiplicatore · Foto tubo · Gyrotron · Klystron · Magnetron · Maser · Nuvistor · Tetrode · Travelling wave tube · Tubo Williams
Tubo a raggi catodici (CRT)	Iconoscopio · Monoscopio · Occhio magico · Tubo da ripresa
Tubo a gas pieno	Lampada a fluorescenza a catodo freddo (CCFL) · Crossatron · Dekatron · G-M · Ignitron · Krytron · Lampada al neon · Nixie · Raddrizzatore al mercurio · Thyratron · Trigatron
Dispositivo passivo	Connettori (Spina elettrica · Connettori RF) Filo · Fusibile elettrico · Interruttore · Potenziometro · Resistore · Termistore · Trasformatore · Varistore
Reattanza	Condensatore · Induttore · Interruttore a mercurio · Oscillatore al cristallo · Relè

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